SK海力士表示將在明年年中之前為移動產(chǎn)品發(fā)售176層SSD，與128層產(chǎn)品相比，其最大讀取速度將提高70％，最大寫入速度提高35％。

消費(fèi)類和企業(yè)級SSD將在2021年晚些時候面世。SK海力士也將使用176層技術(shù)開發(fā)1Tb芯片。 有業(yè)內(nèi)人士認(rèn)為可能會采用QLC（每單元存儲4比特位）技術(shù)來獲得33％的容量增長，其余部分來自176層中每層的更多單元。

SK海力士 NAND開發(fā)負(fù)責(zé)人Jung Dal Choi發(fā)表聲明，NAND閃存行業(yè)正在努力改進(jìn)技術(shù)來同時實現(xiàn)高集成度和比較高生產(chǎn)率。SK海力士將以業(yè)界較高的生產(chǎn)率和技術(shù)進(jìn)入NAND閃存市場。

為了證明這一點，SK海力士增強(qiáng)了其176層產(chǎn)品的性能和技術(shù)優(yōu)勢。例如，該公司聲稱：

與SK海力士的128層技術(shù)相比，比特生產(chǎn)率提高了35％。

通過采用2分區(qū)單元陣列選擇技術(shù)，單元讀取速度比128層NAND提高了20％。

數(shù)據(jù)傳輸速度也提高了33％，達(dá)到1.6Gb/s。

SK海力士說的“ 4D NAND”指的是為單元堆疊底層的裸片放置waiweiCMOS邏輯電路，和美光一樣。這有助于減少芯片所占的面積，SK海力士將其稱為單元下的waiwei電路（Peripheral circuits Under Cell，PUC）。

SK海力士的176層技術(shù)是基于電荷捕獲單元（如美光），而且單元堆棧實際上是基于雙層字符串堆疊（2*96），與美光的176層產(chǎn)品類似。

2分區(qū)單元陣列選擇技術(shù)涉及在邏輯上將一個單元分為兩部分，以加快讀取速度。減半意味著單元具有較低的電阻，縮短了施加感應(yīng)電壓所需的時間，從而提高了讀取速度。